同惠电子推出TH510系列半导体器件C-V特性分析仪

同惠电子推出TH510系列半导体器件C-V特性分析仪。交流 C-V 测试可以揭示材料的氧化层厚度,晶圆工艺的界面陷阱密度,掺杂浓度,掺杂分布以及载流子寿命等,通常使用交流 C-V 测试方式来评估新工艺,材料, 器件以及电路的质量和可靠性等。比如在 MOS 结构中, C-V 测试可以方便的确定二氧化硅层厚度 dox、衬底 掺杂浓度 N、氧化层中可动电荷面密度 Q1、和固定电 荷面密度 Qfc 等参数。C-V 测试要求测试设备满足宽频率范围的需求,同时连线简单,系统易于搭建,并具备系统补偿功能,以补偿系统寄生电容引入的误差。
TH511

同惠最新推出的半导体器件C-V特性分析仪TH511突出其最优的测试特性

四个寄生参数同一界面显示

TH510只需触发一次即可完成Ciss、Coss、Crss、Rg四个参数的测试和分选,数据显示和图形分析可任意选择,无需上位机。

一体化设计

高压源+LCR+通道切换

高速测试

仪器具有快速充电功能,缩短了电容充放电时间,大大加快了测试速度。

快速导通测试Cont

快速判别被测半导体器件功能是否正常及测试引|脚接触是否良好。

高偏置电压

高达Vds偏置电压士1500V、高达Vgs偏置电压士40V

支撑多通道

高达6个通道,每个通道的测试参数独立保存,切换通道无需重新设置测量条件

自动延时功能

TH510可以根据设置的漏源电压,自动设置延时时间
进行 C-V 测量时,通常在电容两端施加直流偏压,同时利用一个交流信号进行测量。一般这类测量中使用的交流信号频率在 10KHz 到 10MHz 之间。所加载的 直流偏压用作直流电压扫描,扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流,从而计算出不同电压下的电容值。
深圳银飞企业有售潜心研发,卓而不凡的TH510系列半导体器件C-V特性分析仪

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